Страница: 2/4
На рис.1 использованы следующие обозначения:
A0 ¸ A9 - входы адреса
D0 ¸ D3 - входы / выходы данных
CS - выбор кристалла
RD - вход сигнала считывания
PR - вход сигнала программирования
ER - вход сигнала стирания
UPR -вход напряжения программирования
Режимы работы микросхемы представлены в таблице 1.
Таблица 1
|
CS |
ER |
PR |
RD |
A0¸A9 |
UPR |
D1/0 |
Режим |
|
0 |
X |
X |
X |
X |
X |
Roff |
Хранение |
|
1 |
0 |
1 |
0 |
X |
-33¸-31 B |
X |
Общее стирание |
|
1 |
0 |
0 |
0 |
A |
—//— |
X |
Избирательное стирание |
|
1 |
1 |
0 |
0 |
A |
—//— |
D1 |
Запись данных |
|
1 |
1 |
1 |
1 |
A |
-33¸5 B |
D0 |
Считывание |
2.4.1. В режиме хранения на вход С подается логический "0", при этом независимо от характера сигналов на других управляющих и адресных входах на выходах данных устанавливается высокоомное состояние ( Roff ).
2.4.2. При подаче CS = 1, ER = 0, PR = 1 и RD = 0 происходит стирание информации во всех ячейках памяти микросхемы, что соответствует для данной микросхемы установление всех ячеек в состояние логической "1".
2.4.3. При подаче сигналов CS = 1, ER = RD = 0 происходит избирательное стирание информации только по одному адресу А, установленному на входах AО ¸ А9 .
2.4.4. Для программирования РПЗУ на вход подается сигналы СS = 1 и PR = 0. При этом обеспечивается запись по заданному адресу А информации, поступившей на входы DО ¸ D3.
2.4.5. Для считывания информации по адресу А на вход микросхемы подаются сигналы СS = RD = 1. Считываемая информация поступает на выходы D0 ¸ DЗ микросхемы.
2.4.6. В режиме стирания и программирования на вход UPR подается повышенное напряжение -33 ¸ -31 В. В режиме считывания это напряжение может иметь любое значение в интервале от -33 В до 5 В.
3. ОПИСАНИЕ ОБЪЕКТА И СРЕДСТВ ИССЛЕДОВАНИЯ
Функциональная схема исследуемого устройства представлена на рис.2.
3.1. Исследуемая микросхема запоминающего устройства ДД2 представляет собой РПЗУ с электрическим стиранием информации типа КР1601РР1, рассмотренное выше.
Реферат опубликован: 11/10/2006