Страница: 3/6
де Рkmaxp. – максимально допустима розрахункова потужність транзистора, який вибирається.
Трмах=+850С – максимальна температура колектор-ного переходу для германієвих транзисторів.
Тр ном=+200С – номінальна температура, при якій значення потужності, яка розсіюється на колекторі транзистора максимальна.
Тдс=+330С – температура довколишнього середовища
4) Розрахункове значення граничної частоти транзистора для схеми з спільним емітером:
[кГц],
де Мв – визначається у відносних одиницях:Мв=Мн(дБ)=20lgМв
Мв=Мн=
5) Вибираємо тип транзистора виходячи з умов:
Вибрав транзистор ГТ403А:
fh21e=1000 кГц;
Pk max=4 Вт (з тепловідводом).
Так, як умова Pk maxр≤ Pk max виконується тільки при наявності тепловідводу, то проводжу розрахунок поверхні охолодження радіатора:
[см2],
де RTT=150С/Вт — величина теплового опору колекторного переходу.
6) Тип вибраного транзистора та параметри вибраного транзистора:
Pk max=4 Вт (з тепловідводом);
fh21e=1000 кГц;
Uke max=30 В;
h21e=20¸60;
Ik max=1,25 А;
RTT=150С/Вт
ІІ. Розрахунок режиму роботи транзистора по
постійному струму:
1) Напруга на колекторі транзистора в режимі спокою:
Uke0=(0.3¸0.5)Uke max = 0,3∙20 = 6 [B]
2) Напруга джерела живлення:
Ek=2.25Uke0= 2.25∙6 = 13.5 [B]
3) Величина колекторного струму в режимі спокою:
[A]
4) Побудова ЛН_ на вихідних статичних характеристиках транзистора і визначчення координати робочої точки: {Ik0; Uke0; Іб0} (див. графічну частину РИС.1):
Uke0=6 B;
Ik0=0.46 A;
Iб0≈23 mA.
5) Величинаемітрного струму в режимі спокою:
Ie0=Ik0+Iб0=0.46+23=23∙10-3+0.46=0.483 [A]≈0.5 [A]
ІІІ. Розрахунок режиму роботи транзистора
по змінному струму:
1) Опір колекторного навантаження по змінному струму для одного плеча схеми:
[Oм]
2) Спад напруги на Rк~:
URk~=Ik0∙Rк~= 0.46∙14.4 = 6.6 [B]
3) Напруга між колектором і емітером транзистора:
Uke~=Uk0+URk~= 6+6.6 = 12.6 [B]
4) На РИС.1 наносимо точки {0, Uke~} та {Ik0, Uke0}.
5) За графіком на РИС.1 визначаємо мінімальне і максимальне значення вихідного струму та напруги транзистора:
Ik min=2.0 mA;
Ik max=0.88 A;
Uke max=12.6 B;
Uk min=2.0 B
IV. Визначення потужності сигналу, яка віддається транзисторами у вибраному режимі їх роботи:
1) Потужність, яку віддає транзистор у вибраному режимі роботи:
Pk~=0.125∙(Ik max - Ik min)2∙Rk~=
=0.125∙(0.88-2)2∙14.4 = 2,26 [Bт]
2) Перевірка виконання умови:
Pk~≥P~.
2.26>1.25 [Вт]
(умова виконується)
V. Визначення коефіцієнта підсилення плеча каскаду по напрузі і потужності:
1) На вхідній динамічній характеристиці транзистора відкладаємо відповідні координати робочої точки і граничних точок (див графічну частину РИС.2):
{Iб0;Uбe0}, {Iб max;Uбe max}, {Iб min;Uбe min}
Iб0 = 23 mA;
Uбe0 = 0.47 B;
Iб max = 64 mA;
Uбe max = 0.68 B;
Iб min = 2 mA;
Uбe min = 0.17 B.
2) Амплітудні значення вхідного струму та напруги:
3) Вхідний опір транзистора по змінному струму:
4) Потужність на вході підсилювача:
5) Коефіцієнт підсилення по напрузі:
KUдБ=20lg KU =26,19 [дБ]
6) Коефіцієнт підсилення по потужності:
KPдБ=10lgKP =27,49 [дБ]
VI. Розрахунок коефіцієнта нелінійних
спотворень сигналу:
1) Формуємо наскрізну динамічну ВАХ підсилювального елемента за сім'єю вхідних і вихідних статичних характеристик і навантажувальної прямої змінного струму каскаду Ік=f(Ei): для цього визначаємо значення Uke для трьох точок (А, Р, В) по вхідних і вихідних статичних характеристиках транзистора (див. графічну частину РИС.3).
2) Дані заносимо в таблицю і будуємо наскрізну динамічну ВАХ транзистора по табличним даним.
Реферат опубликован: 8/04/2010