Требования к объемам памяти диктуются программным обеспечением. При использовании Windows оценить необходимое количество памяти можно на основе тестов Winstone, использующих наиболее популярные приложения Windows. Соответствующие данные представлены на рисунке 1.

Рис.1. Зависимос производительности от объема памяти.

Статическая память

В качестве кэш-памяти второго уровня практиче­ски всегда применялась (и до сих пор продолжа­ет широко применяться) стандартная асинхрон­ная память SRAM. При внешних тактовых частотах порядка 33 МГц хорошие результаты давала статическая память со временем выборки 15-20 ns. Для эффективной работы на частотах выше 50 МГц такого быстродействия уже недос­таточно. Прямое уменьшение времени выборки до нужных величин (12-8 ns) обходится дорого, так как требует зачастую применения дорогой технологии Bi-CMOS вместо CMOS, что непри­емлемо для массового рынка. Поэтому предла­гаемое решение заключается в применении но­вых типов памяти с усовершенствованной архи­тектурой, которые первоначально были разрабо­таны для мощных рабочих станций. Наиболее перспективна синхронная SRAM. В отличие от обычной асинхронной, она может использовать те же тактовые сигналы, что и остальная систе­ма, поэтому и называется синхронной. Она снаб­жена дополнительными регистрами для хране­ния информации, что освобождает остальные элементы для подготовки к следующему циклу еще до того, как завершился предыдущий. Быст­родействие памяти при этом увеличивается при­мерно на 20%. Эффективную работу на самых высоких частотах может обеспечить особая раз­новидность синхронной SRAM — с конвейерной организацией (pipelined burst). При ее при­менении уменьшается число циклов, требую­щихся для обращения к памяти в групповом ре­жиме. Пример для тактовой частоты 66 МГц (Pentium 100 и Pentium 133) приведен в таблице1. В случае группового режима чтения-записи для первого обращения нужно 3 цикла, для каждого следующего — только 1.

Тип цикла	Асинхронная SRAM	Конвейерная SRAM
Single Read	3	3
Single Write	4	3
Burst Read	3-2-2-2	3-1-1-1
Burst Write	4-3-3-3	3-1-1-1

Динамическая память

Так же, как и для статической памяти, прямое со­кращение времени выборки для динамической памяти достаточно трудно технически осущест­вимо и приводит к резкому росту стоимости. По­этому ориентация в новых системах идет на микро­схемы со временем выбор­ки 60-70 ns. Стандартные микросхемы DRAM имеют страничную организацию памяти — Fast Page Mode (FPM), которая позволяет значительно ускорить дос­туп к последовательно расположенным (в пределах страницы) данным по сравнению со случаем произвольной выборки. Поскольку обращения к последовательно распо­ложенным данным в реальных задачах встреча­ются очень часто, применение FPM DRAM замет­но повышает производительность. FPM DRAM со временем выборки 60-70 ns обеспечивает необ­ходимые характеристики для тактовых частот 33-40 МГц. При повышении тактовой частоты обеспечить надежное и быстрое считывание данных в страничном режиме уже не удается. Эту проблему в значительной степени решает применение памяти нового типа - EDO DRAM (Extended Data Output DRAM). От обычной памяти со страничной организацией она отличается на­личием дополнительных регистров для хранения выходных данных. Увеличивается время, в тече­ние которого данные хранятся на выходе микро­схемы, что делает выходную информацию дос­тупной для надежного считывания процессором даже при высоких тактовых частотах (фактически время между обращениями в страничном режи­ме можно уменьшить до 30 ns по сравнению с 45 ns для FPM).

Радикальный, но не общепризнанный подход к повышению быстродействия динамической па­мяти заключается во встраивании в микросхемы DRAM собственной кэш-памяти. Это Cached DRAM (CDRAM) и Enhanced DRAM (EDRAM). Па­мять CDRAM выпускается фирмой Mitsubishi и имеет 16 KB кэш-памяти как на 4, так и на 16 Mbit кристалле, обмен между динамической и встро­енной кэш-памятью осуществляется словами шириной 128 разрядов.

Вообще говоря, применение новых типов дина­мической памяти позволяет получать высокую производительность даже и без применения кэш-памяти второго уровня (если кэш-память первого уровня — типа write back), особенно в случае CDRAM и Enhanced DRAM, которые имен­но так и используются. Однако подавляющее большинство систем для достижения максимальной производительности строится все-таки с использованием кэш-памяти второго уровня. Для них наиболее подходит память типа EDO DRAM. К тому же она стала уже промышленным стандартом, и ее доля будет преобладать в мик­росхемах памяти емкостью 16 Mbit и более. Фактически эта память приходит на смену стандартной FPM DRAM и ее можно применять в любых системах вместо стандартной.