Страница: 2/8
3.3.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется с учётом следующих предельных параметров:
1. граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
 ;
;
2. предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер
 ;
;
3. предельно допустимого тока коллектора
 ;
;
4. предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе
 .
.
Этим требованиям полностью соответствует транзистор КТ996Б-2. Его основные технические характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
1. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ  МГц;
МГц;
2. Постоянная времени цепи обратной связи  пс;
пс;
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ  ;
;
4. Ёмкость коллекторного перехода при  В
В  пФ;
пФ;
5. Индуктивность вывода базы  нГн;
нГн;
6. Индуктивность вывода эмиттера  нГн.
нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер  В;
В;
2. Постоянный ток коллектора  мА;
мА;
3. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора  Вт;
Вт;
4. Температура перехода  К.
К.
Нагрузочные прямые по переменному и постоянному току для выходного каскада представлены на рисунке 3.2. Напряжение питания выбрано равным 10В.

Рисунок 3.2
3.3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора
Поскольку рабочие частоты усилителя заметно больше частоты  , то из эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на рисунке 3.3. Описание такой модели можно найти в [2].
, то из эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на рисунке 3.3. Описание такой модели можно найти в [2].

Рисунок 3.3
Параметры эквивалентной схемы рассчитываются по приведённым ниже формулам.
Входная индуктивность:
 , (3.3.3)
, (3.3.3)
где  –индуктивности выводов базы и эмиттера.
–индуктивности выводов базы и эмиттера.
Входное сопротивление:
 , (3.3.4)
, (3.3.4)
где  , причём
, причём  ,
,  и
и  – справочные данные.
– справочные данные.
Крутизна транзистора:
 , (3.3.5)
, (3.3.5)
где  ,
,  ,
,  .
.
Выходное сопротивление:
 . (3.3.6)
. (3.3.6)
Выходная ёмкость:
 . (3.3.7)
. (3.3.7)
В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:
 нГн;
нГн;
 пФ;
пФ;
 Ом
Ом
 Ом;
Ом;
 А/В;
А/В;
 Ом;
Ом;
 пФ.
пФ.
3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации
Существует несколько вариантов схем термостабилизации. Их использование зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования к термостабильности. В данной работе рассмотрены три схемы термостабилизации: пассивная коллекторная, активная коллекторная и эмиттерная.
3.3.4.1 Пассивная коллекторная термостабилизация
Реферат опубликован: 14/01/2009