Дифференциальный усилитель

Страница: 3/4

8. Герметизация корпуса.

Площадки и проводники формируются методом свободной маски.

Защитный слой наносится методом фотолитографии.

5. Выбор корпуса ГИС.

Для ГИС частного применения в основном используется корпусная защита, предусматриваемая техническими условиями на разработку. Выберем корпус, изготавливаемый из пластмассы. Его выводы закрепляются и герметизируются в процессе литья и прессования.

Размеры корпуса (габаритные) 19.5мм´14.5мм, количество выводов–14, из них нам потребуется 10.

6. Оценка надёжности ГИС.

Под надёжностью ИМС понимают свойство микросхем выполнять заданные функции, сохраняя во времени значения установленных эксплуатационных показателей в заданных пределах, соответствующим заданным режимам и условиям использования, хранения и транспортирования.

Расчёт надёжности ГИС на этапе их разработки основан на определении интенсивности отказов-l(t) и вероятности безотказной работы-Р(t) за требуемый промежуток времени.

1. Рассчитаем l по формуле:

li=ai*Ki*l0i,

где l0i-зависимость от электрического режима и внешних условий, ai=f(T,Kн)-коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки, Кi=K1-коэффициент, учитывающий воздействие механических нагрузок.

Воздействие влажности и атмосферного давления не учитываем, т.к. микросхема герметично корпусирована.

Для расчётов рекомендуются следующие среднестатистические значения интенсивностей отказов:

– навесные транзисторы l0т=10^-8 1/ч;

– тонкоплёночные резисторы l0R=10^-9 1/ч;

– керамические подложки l0п=5*10^-10 1/ч;

– плёночные проводники и контактные площадки l0пр=1.1*10^-91/ч;

– паяные соединения l0соед=3*10^-9 1/ч.

Коэффициенты ai берём из таблиц, приведённых в справочных материалах.

Коэффициенты нагрузки определяются из соотношений:

– транзисторов

КHI=II/IIдоп,

Кнт=max

Кнu=Ui/Uiдоп,

где I-ток коллектора соответствующего транзистора, U-напряжение коллектор-эммитер соответствующего транзистора, Iдоп, Uдоп-допустимые значения токов и напряжений;

– резисторов

КнR=Рi/Рiдоп,

где Рi-рассеиваемая на транзисторе мощность,

Рiдоп-допустимая мощность рассеивания.

Для различных условий экплуатации значения коэффициента в зависимости от нагрузок разные, выберем самолётные-К1=1.65.

После расчётов имеем:

Кнт1=0.0225 aт1=0.4

Кнт2=0.0018 aт2=0.4

Кнт3=0.045 aт3=0.4

Кнт4=0.11 aт4=0.4

КнR1=0.23 aR1=0.8

КнR2=0.062 aR2=0.7

КнR3=0.56 aR3=1.1

КнR4=0.37 aR4=0.95

КнR5=0.95 aR5=1.5

КнR6=1 aR6=1.6

lт1234=6.6*10^-9

lR1=1.32*10^-9

lR2=1.55*10^-9

lR3=1.815*10^-9

lR4=1.57*10^-9

lR5=2.48*10^-9

lR6=2.64*10^-9

l0соед=1.09*10^-7

l0пр=4.46*10^-7

Реферат опубликован: 24/08/2007