Страница: 4/8
Uвх-Uэб
Uвых-Uкб
2)Схема с общим эмитером
|
|
3) Схема с общим колектором
|
|
Каждая схема характеризуется семействами входных и выходных статических ВАХ
Iвх=f(Uвх) | Uвых-const
Iвых=f(Uвых) | Iвх-const
ВАХ транзисторов
1)ОЭ
Iк=bIб +(Uкэ/r*к)+I*к0 b-коэффициент передачи Iб
b=a/1-a
2)ОБ
Iк=aIэ+I к0+(Uкб/rк) r*к=( rк/1+b) I*к0=I к0(1+b)
|
|
Малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора
1)ОЭ
rк≈100 Ом rэ=dUбэ/dIб | Uк- const
rэ=2jt/Iэ0 =(Si)≈50мВ/ Iэ0
r*к=dUкэ/dIк | Iб- const ≈100кОм
Ск*=Ск(1+b) ≈ 5-15мкФ
2)ОБ
rэ=dUбэ/dIэ | Uк- const
r*к=dUкб/dIк | Iэ- const
Частотные свойства транзистора
Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов a и b
fср=fсрa/b – для b
h –параметры транзистора
ΔU1=h11ΔI1+h12 ΔU2
ΔI2=h21ΔI1+h22 ΔU2
h11= ΔU1/ ΔI1 │ΔU2=0 – входной сигнал
h12= ΔU1/ ΔU2 │=μ=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи
│ΔI1=0
h21= ΔI2/ ΔI1 │ ΔU2=0 – коэф усиления I
h22= ΔI2/ ΔU2 │=1/rк выходная проводимость
│ΔI1=0
Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора
|
ОБ |
ОЭ | |
|
h11 |
rэ+rб(1-α) |
rб+rэ(1+β) |
|
h12 |
0 |
0 |
|
h21 |
α |
β |
|
h22 |
1/rк |
1/rк*=(1+ β)/rк |
Полевые транзисторы (ПТ)
В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем.
ПТ с: p-n переходом
МДМ или МОП
«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.
«-»-малая крутизна
ПТ с p-n переходом
Структура и работа.
|
|
ВАХ: выходная
rc=ΔUcч/ΔIc
Uзи=const(отсечки)
≈10-100кОм
Реферат опубликован: 29/12/2007