Страница: 9/12
|
SDRAM |
DDR SDRAM |
SLDRAM |
RDRAM |
Concurrent RDRAM |
Direct RDRAM | |
|
Скорость передачи данных |
125 Mb/sec |
200 Mb/sec |
400 Mb/sec |
600 Mb/sec |
600 Mb/sec |
1.6Gb/sec |
|
MHz |
125 |
200 |
400 |
600 |
600 |
800 |
|
Стандарт |
JEDEC |
JEDEC |
SLDRAM Consotium |
RAMBUS |
RAMBUS |
RAMBUS |
|
Время появления |
1997 |
1998 |
1999 |
1995 |
1997 |
19999 |
|
Питание |
3.3В |
3.3.В |
2.5 |
3.3В |
3.3В |
2.5В |
Также перспективными (из более далекого будущего) кажутся модули памяти, в которых роль конденсатора (элемента памяти) будет играть колечко из сверхпроводника.
Центральный процессор.
Современные центральные процессоры работают на тактовых частотах до 1гигагерца и со скоростью в миллиарды операций в секунду. Перед тем, как осветить последние технологические новшества в области производства процессоров, приведем несколько схем, на основе которых процессоры и собираются.
Дело в том, что суть центрального процессора – это счет и логические действия. Как легко догадаться, аппарат счета в двоичной системе счисления является достаточно простой комбинацией логических схем «И», «ИЛИ» и «НЕ».
Новые технологии.
В последние годы к стадии возможности использования в коммерческом производстве подошел целый ряд технологий, позволяющих заметно увеличить скорость работы транзисторов, либо столько же заметно уменьшить размер чипа без перехода на более тонкий технологический процесс. Некоторые из этих технологий уже начали применяться в течение последних месяцев, их названия упоминаются в новостях, относящихся к компьютерам, все чаще.
Первая интегральная схема, где соединения между транзисторами сделаны прямо на подложке, была сделана более 40 лет назад. За это время технология их производства претерпела ряд больших и малых улучшений, пройдя от первой схемы Джека Килби до сегодняшних центральных процессоров, состоящих из десятков миллионов транзисторов, хотя для серверных процессоров впору уже говорить о сотнях миллионов.
Здесь пойдет речь о некоторых последних технологиях в этой области, таких, как медные проводники в чипах, SiGe, SOI, перовскиты. Но сначала необходимо в общих чертах затронуть традиционный процесс производства чипов из кремниевых пластин. Нет необходимости описывать процесс превращения песка в пластины, поскольку все эти технологии не имеют к столь базовым шагам никакого отношения, поэтому начнем с того, что мы уже имеем кремниевую пластину, диаметр которой на большинстве сегодняшних фабрик, использующих современные технологии, составляет 20 см. Ближайшим шагом на ее превращении в чипы становится процесс окисления ее поверхности, покрытия ее пленкой окислов - SiO2, являющейся прекрасным изолятором и защитой поверхности пластины при литографии.
Дальше на пластину наносится еще один защитный слой, на этот раз - светочувствительный, и происходит одна из ключевых операций - удаление в определенных местах ненужных участков его и пленки окислов с поверхности пластины, до обнажения чистого кремния, с помощью фотолитографии.
Реферат опубликован: 18/10/2007