Страница: 1/5
Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС
Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС является неотъемлемой составной частью современных САПР БИС. На этапе проектирования моделирование элементной базы позволяет решить вопросы, связанные с оптимизацией структурных и топологических решений интегральных структур элементов БИС для достижения максимальной плотности компоновки, максимального быстродействия и минимальной потребляемой мощности. Методы анализа и соответствующее прикладное математическое обеспечение являются основным инструментом разработчика современных БИС и СБИС. Физико-топологическое моделирование основано на использовании математических моделей, численных методов решения дифференциальных уравнений с учетом результатов расчета и экспериментальных данных. Физико-математическую основу моделирования интегральных компонентов составляют фундаментальные уравнения переноса электронов и дырок в полупроводниках. Непосредственно эти уравнения ввиду чрезвычайной сложности и громоздкости их численного интегрирования имеют ограниченное применение. Это делает невозможным решение задачи проектирования интегральных элементов на единой модельной и алгоритмической основе и приводит к необходимости ее разделения на более простые задачи. В настоящее время в практике проектирования используется большое число простых и экономичных моделей, эффективных для определенных типов элементов, а также для конкретных этапов их проектирования. Эти модели отличаются принятыми допущениями, размерностью, системами независимых переменных, видами краевых задач и алгоритмами их решения. Для эксплуатации программ и интерпретации полученных результатов необходимо прежде всего понимание используемых моделей, поэтому в данном учебном пособии значительное внимание уделяется выводу основных модельных уравнений. Принятая последовательность изложения позволяет овладеть основами физико-топологического моделирования, а не просто дает определенную сумму знаний.
Основные задачи моделирования интегральных структур. Уровни моделирования
В связи с постоянной разработкой новой элементной базы БИС необходимы методы модели ования позволяющие посредством численных экпиpементов на ЭВМ устанавливать количественные зависимости между электрофизическими, топологическими паpаметрами интегpальных стpуктуp и множеством их эксплуатационных параметpов с учетом сложных взаимодействий в конкретных БИС. При этом решаются основные задачи: 1) исследование физических процессов в технологических установках; 2) исследование физических процессов в объеме и на поверхности интегральных структур при внешних воздействиях; 3) исследование электрических взаимодействий полупроводниковых приборов в составе БИС. Моделирование физических процессов в технологических установках позволяет получить, в частности, количественные характеристики пол п оводниковых интегpальных стpуктур. Таким характеристикам прежде всего относятся распределение концентраций легирующих примесей в эпитаксиальныхп ионно-легированных и диффузионных слоях, толщины таких слоев и другие электpофизические параметpы. Они являются исходными данными для проектирования элементов БИС. Следует отметить, что моделирование технологических процессов является важным, но не единственным источником данных, которые используются на следующем этапе проектирования.
Моделирование физических процессов в интегральных структурах элементов необходимо для: 1) исследования физики процессбв, протекающих в принципиально новых элементах БИС; 2) исследования новых конструктивно-технологических вариантов компонентов (в частности, компонентов с субмикронными размерами) и экстремальных режимов их работы; 3) определения параметров эквивалентных электрических схем. В результате должны быть определены структурные и топологические параметры элементов БИС. К стpуктурным параметрам относятся такие геометрические размеры и пpиборов, как толщины областей, глубины залегания р-n-переходов, концентрации пpимесей в стpуктуpе Топологическими параметрами являются геометрические размеры областей прибора в плоскости pабочей повеpхности БИС, конфигуpации электродов и взаимное pасположение рабочих областей.
Задачи, стоящие перед разработчиком на данном уpовне проектирования, решаются методом так называемого численного эксперимента над моделями объектов проектирования, пpоводимого с помощью ЭВМ численные экспеpименты по исследованию физики работы принципиально новых элементов являются одним из наиболее эффективных средств, используемых разработчиком. Альтернативой численному эксперименту в данном случае является технологический эксперимент. Однако технологические эксперименты сопряжены с большими затратами средств и времени.
Реферат опубликован: 15/06/2008